目前,钙钛矿/晶硅叠层太阳能电池通常采用透明导电金属氧化物薄膜(ITO)作为中间复合层,但ITO在制备过程中存在溅射损伤等问题。因此,开发高效的中间复合层,对提升钙钛矿/晶硅叠层太阳能电池的效率,加速产业化进程颇为重要。
新型隧穿复合层助力叠层太阳电池效率提升至29.22%
近期,中国科学院宁波材料技术与工程研究所研究员叶继春带领的硅基太阳能及宽禁带半导体科研团队,在前期关于晶硅、钙钛矿和叠层电池研究的基础上,在钙钛矿/晶硅叠层太阳电池的中间层设计和制备方面取得了重要进展。
图4. 隧穿复合层增强钙钛矿顶电池载流子传输和提取能力的测试结果
此外,通过详细的有限元仿真,科研人员对这种隧穿叠层电池的载流子传输和复合机制,进行了全面剖析(图5)。研究表明,这种隧穿复合层以陷阱辅助复合隧穿和带带隧穿为主。当多晶硅的掺杂浓度较低时(<4×1019 cm-3),p型多晶硅的价带和n型多晶硅的导带不会发生交叠,因而不会触发带带隧穿,此时陷阱辅助复合隧穿占主导。这种情况下,较高的缺陷浓度有助于陷阱辅助复合隧穿效应,从而提升叠层电池性能。当多晶硅的掺杂浓度较高时(>4×1019 cm-3),p型多晶硅的价带和n型多晶硅的导带发生交叠,触发带带隧穿,此时带带隧穿占主导。相比于陷阱辅助复合隧穿,带带隧穿更利于获得更高的填充因子和效率。因此,如何通过掺杂控制中间层的隧穿和复合效率至关重要。上述关于中间层的设计及相关机理研究,为钙钛矿/晶硅叠层太阳能电池的性能提升提供了新途径。这一设计思路同样适用于以异质结作为底电池的钙钛矿叠层电池。
本文内容来源于:宁波材料技术与工程研究所,责任编辑:胡静,审核人:李峥
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